随着电子技术的不断发展，半导体器件在各个领域得到了广泛的应用。然而，半导体器件对电压、电流等参数的要求非常严格，一旦这些参数超出了规定的范围，就会导致器件的损坏。因此，在半导体器件的保护方面，熔断器起着非常重要的作用。

IEC 60269-4:2009/AMD1:2012规定了用于保护半导体器件的熔断器的额外要求。该标准要求熔断器必须满足以下要求：

1. 设计要求：熔断器的设计必须符合半导体器件的保护要求，包括额定电压、额定电流、熔断时间等参数的要求。

2. 性能要求：熔断器必须能够在规定的时间内熔断，以保护半导体器件。同时，熔断器的熔丝材料、熔断器的外壳等部件也必须符合相关的性能要求。

3. 试验要求：熔断器必须经过一系列的试验，包括熔断时间试验、电气性能试验、机械性能试验等，以确保熔断器的性能符合要求。

4. 标记要求：熔断器必须在外壳上标明相关的参数，包括额定电压、额定电流、熔断时间等，以便用户正确选择和使用熔断器。

除了以上要求之外，IEC 60269-4:2009/AMD1:2012还规定了熔断器的尺寸、安装方式、环境要求等方面的要求，以确保熔断器能够在各种环境下正常工作。

总之，IEC 60269-4:2009/AMD1:2012是一项非常重要的标准，它为保护半导体器件提供了重要的技术支持，同时也为熔断器的设计、生产和使用提供了明确的指导。

相关标准
- IEC 60269-1:2006 低压熔断器-第1部分：一般要求
- IEC 60269-2:2006 低压熔断器-第2部分：限流熔断器
- IEC 60269-3:2006 低压熔断器-第3部分：熔断器用于电动机保护
- IEC 60269-5:2009 低压熔断器-第5部分：熔断器用于电动机保护的特殊要求
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