静电放电是一种常见的电磁干扰源，可以对半导体器件造成损害。机器模型静电放电敏感性测试是一种常用的测试方法，用于评估半导体器件对静电放电的敏感性。该测试方法模拟了机器模型静电放电的特点，可以帮助半导体器件制造商和用户评估器件的静电放电敏感性，从而采取相应的措施来保护器件。

IEC 60749-27:2006/AMD1:2012规定了机器模型静电放电敏感性测试的方法和程序。测试过程中，需要使用一个机器模型，该模型由一个电容器和一个电阻器组成。测试时，将电容器充电到指定电压，然后通过电阻器将电容器放电到被测试器件上。测试过程中，需要记录被测试器件的电压和电流，以评估其对静电放电的敏感性。

该标准还规定了测试条件和测试结果的评估方法。测试条件包括测试温度、湿度和大气压等。测试结果的评估方法包括确定器件的故障电压和故障电流等参数。根据测试结果，可以评估器件的静电放电敏感性，并采取相应的措施来保护器件。

IEC 60749-27:2006/AMD1:2012是一项重要的标准，对于保护半导体器件免受静电放电的损害具有重要意义。该标准的实施可以帮助半导体器件制造商和用户评估器件的静电放电敏感性，从而采取相应的措施来保护器件。

相关标准
- IEC 60749-1:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 1: General
- IEC 60749-2:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 2: Climatic tests
- IEC 60749-3:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 3: Mechanical tests
- IEC 60749-4:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 4: Steady-state temperature and humidity tests
- IEC 60749-5:2006 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 5: Resistance to soldering heat