IEC 60747-3:2013
Semiconductor devices - Part 3: Discrete devices: Signal, switching and regulator diodes
发布时间:2013-07-09 实施时间:
IEC 60747-3:2013标准主要包括以下内容:
1. 术语和定义:该部分规定了本标准中所使用的术语和定义,以便于标准的理解和应用。
2. 材料和结构:该部分规定了信号、开关和稳压二极管所使用的材料和结构要求。其中,信号二极管主要用于低功率电路中,其结构简单,主要由PN结和金属电极组成;开关二极管主要用于高功率电路中,其结构复杂,主要由多个PN结和金属电极组成;稳压二极管主要用于稳压电路中,其结构类似于信号二极管,但具有更高的反向击穿电压。
3. 电性能指标:该部分规定了信号、开关和稳压二极管的电性能指标,包括最大额定值、最大工作电压、最大反向电流、最大正向电流、最大反向击穿电压等。
4. 试验方法:该部分规定了信号、开关和稳压二极管的试验方法,包括外观检查、尺寸测量、电性能测试等。
5. 封装和标记:该部分规定了信号、开关和稳压二极管的封装和标记要求,包括封装形式、引脚排列、标记内容等。
6. 附录:该部分为标准的附录部分,包括了一些参考信息,如材料的物理性质、封装的尺寸等。
IEC 60747-3:2013标准的实施可以提高离散二极管的质量和可靠性,保证其在各种电路中的正常工作。该标准适用于半导体器件制造商、电子设备制造商、电子工程师等相关人员使用。
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