高纯度锗晶体是一种用于制造辐射探测器的重要材料。辐射探测器广泛应用于核能、医疗、环境监测等领域。高纯度锗晶体的质量和性能对辐射探测器的灵敏度、分辨率、能量分辨率等指标有着重要影响。因此，对高纯度锗晶体的基本特性进行准确测量，对于保证辐射探测器的性能至关重要。

IEC 61435:2013 标准规定了高纯度锗晶体的基本特性测量方法，包括晶体几何尺寸、质量、电学特性、光学特性、热学特性等方面。其中，晶体几何尺寸的测量包括晶体直径、长度、圆度、平行度等指标；质量的测量包括晶体纯度、杂质浓度、晶体缺陷等指标；电学特性的测量包括电导率、电容、电阻等指标；光学特性的测量包括折射率、透过率、吸收系数等指标；热学特性的测量包括热导率、热膨胀系数等指标。

IEC 61435:2013 标准要求高纯度锗晶体的制造商和用户必须按照标准规定的方法进行测量，并记录测量结果。制造商必须对每个晶体进行测量，并提供测量报告。用户在购买高纯度锗晶体时，必须要求制造商提供测量报告，并对报告进行审核。如果发现晶体的测量结果不符合要求，用户有权拒绝接受该晶体。

IEC 61435:2013 标准的实施，可以保证高纯度锗晶体的质量和性能符合要求，从而保证辐射探测器的性能。同时，该标准也为高纯度锗晶体的制造商和用户提供了一个统一的测量方法，方便了质量控制和质量检验。

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