IEC TS 61994-4-4:2018 RLV
Piezoelectric, dielectric and electrostatic devices and associated materials for frequency control, selection and detection - Glossary - Part 4-4: Piezoelectric materials - Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) devices
发布时间:2018-11-16 实施时间:


随着科技的不断发展,压电材料在频率控制、选择和检测等领域中得到了广泛应用。表面声波器件是一种利用压电材料的特性来产生声波的器件,其应用范围涵盖了通信、雷达、导航、测量等多个领域。而单晶片作为表面声波器件中的重要组成部分,其质量和性能对整个器件的性能有着至关重要的影响。

IEC TS 61994-4-4:2018 RLV标准规定了单晶片的定义、分类、尺寸、形状、表面质量、晶体结构、晶体取向、材料性能等方面的要求。其中,单晶片的定义是指在一个晶体中,晶体结构和晶体取向都是一致的,而且晶体的尺寸足够大,可以用来制作表面声波器件。单晶片的分类主要根据晶体结构和晶体取向来进行,包括晶体结构为立方晶系、四方晶系、三方晶系和单斜晶系的单晶片。

在尺寸和形状方面,IEC TS 61994-4-4:2018 RLV标准规定了单晶片的直径、厚度、圆度、平整度等要求。此外,标准还对单晶片的表面质量进行了详细的规定,包括表面平整度、表面光洁度、表面缺陷等方面的要求。

在晶体结构和晶体取向方面,标准要求单晶片的晶体结构应为高纯度的晶体结构,晶体取向应符合特定的要求。此外,标准还规定了单晶片的材料性能要求,包括压电系数、介电常数、机械Q值等方面的要求。

总之,IEC TS 61994-4-4:2018 RLV标准对单晶片的质量和性能进行了详细的规定,为表面声波器件的制造提供了重要的参考依据。

相关标准
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