随着集成电路技术的不断发展，三维集成电路已经成为了一种重要的技术路线。三维集成电路通过将多个芯片堆叠在一起，可以大大提高集成度和性能。而通过硅通孔则是实现三维集成电路的关键技术之一。通过硅通孔可以将不同芯片之间的信号传输通道直接穿过硅基底，从而实现芯片之间的高速、低延迟通信。

然而，通过硅通孔也带来了一些新的问题。由于通过硅通孔需要在硅基底中打孔，因此会对硅基底的物理和电学性质产生影响。同时，通过硅通孔的制造和测试也需要特殊的技术和设备。为了确保三维集成电路的可靠性和稳定性，需要对通过硅通孔的模型和测量条件进行规范。

IEC 63011-3:2018就是一项关于通过硅通孔的模型和测量条件的标准。该标准规定了通过硅通孔的模型和测量条件，以确保三维集成电路的可靠性和稳定性。该标准适用于通过硅通孔连接芯片和芯片堆叠的三维集成电路。

具体来说，IEC 63011-3:2018规定了通过硅通孔的电学模型和物理模型。通过硅通孔的电学模型包括了电阻、电感和电容等参数，可以用于分析通过硅通孔的信号传输特性。通过硅通孔的物理模型则包括了硅基底的几何形状、材料参数和制造工艺等因素，可以用于分析通过硅通孔对硅基底的影响。

此外，IEC 63011-3:2018还规定了通过硅通孔的测量条件。这些测量条件包括了测试设备、测试方法和测试参数等方面的规定。通过这些测量条件，可以对通过硅通孔的电学和物理特性进行准确的测试和分析。

总之，IEC 63011-3:2018是一项非常重要的标准，它为三维集成电路中通过硅通孔的模型和测量条件提供了规范。通过遵守该标准，可以确保三维集成电路的可靠性和稳定性，促进三维集成电路技术的发展。

相关标准
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- IEC 63011-2:2017 集成电路-三维集成电路-第2部分：制造和测试
- IEC 62258:2014 集成电路-三维集成电路-测试方法
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