IEC 63068-2:2019
Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection
发布时间：2019-01-30 实施时间：


半导体器件是现代电子技术的重要组成部分，而碳化硅同质外延片是半导体器件制造中的重要材料之一。然而，碳化硅同质外延片中可能存在各种缺陷，如晶格缺陷、气泡、裂纹等，这些缺陷会影响器件的性能和可靠性。因此，对于碳化硅同质外延片中缺陷的非破坏性识别变得尤为重要。

IEC 63068-2:2019标准规定了半导体器件用碳化硅同质外延片中缺陷的非破坏性识别标准，其中包括使用光学检查检测缺陷的测试方法。该标准主要包括以下内容：

1.术语和定义：对于标准中使用的术语和定义进行了详细说明，以确保标准的准确性和一致性。

2.测试方法：该标准规定了使用光学检查检测碳化硅同质外延片中缺陷的测试方法。测试方法包括样品制备、光学检查设备和检查程序等内容。

3.缺陷分类：该标准对碳化硅同质外延片中可能存在的缺陷进行了分类，包括晶格缺陷、气泡、裂纹等。

4.缺陷评价：该标准对检测到的缺陷进行了评价，包括缺陷的类型、大小、密度等。

5.报告要求：该标准规定了测试结果的报告要求，包括测试日期、测试人员、样品信息、检测结果等。

该标准的实施可以有效提高碳化硅同质外延片的质量和可靠性，为半导体器件的制造提供了重要的技术支持。

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