IEC 60749-18:2019 RLV
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 18: Ionizing radiation (total dose)
发布时间:2019-04-10 实施时间:


半导体器件是现代电子技术的重要组成部分,广泛应用于通信、计算机、汽车、医疗等领域。在实际应用中,半导体器件可能会受到各种环境因素的影响,如机械应力、温度、湿度、辐射等。因此,对半导体器件进行机械和气候测试是非常必要的,可以评估其在不同环境下的可靠性和稳定性。

其中,电离辐射是半导体器件最常见的环境因素之一。电离辐射会导致半导体器件中的电子和空穴发生电离,从而影响器件的性能和可靠性。因此,对半导体器件进行电离辐射测试是非常重要的。

IEC 60749-18:2019 RLV主要介绍了半导体器件电离辐射总剂量测试的方法和要求。该标准要求在测试过程中,应使用符合国际标准的电离辐射源,如钴60源或铯137源。测试时,应将半导体器件置于电离辐射源的辐射场中,进行总剂量辐照。测试结束后,应对半导体器件进行性能和可靠性评估。

具体来说,IEC 60749-18:2019 RLV要求对半导体器件进行以下测试:

1. 总剂量辐照测试:将半导体器件置于电离辐射源的辐射场中,进行总剂量辐照。测试时,应记录辐照时间、辐照剂量等参数。

2. 总剂量退火测试:在总剂量辐照测试后,对半导体器件进行总剂量退火测试。测试时,应将半导体器件置于恒定温度下,进行退火处理。测试结束后,应对半导体器件进行性能和可靠性评估。

3. 总剂量效应测试:在总剂量辐照测试后,对半导体器件进行总剂量效应测试。测试时,应对半导体器件进行性能和可靠性评估。

4. 总剂量辐射硬化测试:在总剂量辐照测试后,对半导体器件进行总剂量辐射硬化测试。测试时,应对半导体器件进行性能和可靠性评估。

5. 总剂量辐射损伤测试:在总剂量辐照测试后,对半导体器件进行总剂量辐射损伤测试。测试时,应对半导体器件进行性能和可靠性评估。

总之,IEC 60749-18:2019 RLV为半导体器件电离辐射总剂量测试提供了详细的方法和要求,可以帮助制造商和用户评估半导体器件在电离辐射环境下的可靠性和稳定性。

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