IEC 60747-7:2010/AMD1:2019
Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
发布时间:2019-09-23 实施时间:


双极晶体管是一种常用的半导体器件,广泛应用于电子电路中。IEC 60747-7:2010/AMD1:2019修正件1是对双极晶体管的标准化要求,旨在保证双极晶体管的质量和性能,提高其可靠性和稳定性。

该标准首先对双极晶体管的术语和定义进行了规定,包括基极、发射极、集电极、漏极、放大系数、最大耗散功率等。这些术语和定义对于双极晶体管的生产、测试和应用都具有重要的意义。

其次,该标准对双极晶体管进行了分类。根据其结构和性能,双极晶体管可以分为NPN型和PNP型两种。其中,NPN型双极晶体管的基极为P型,发射极为N型,集电极为P型;PNP型双极晶体管的基极为N型,发射极为P型,集电极为N型。此外,该标准还对双极晶体管的封装形式进行了规定,包括TO-92、TO-126、TO-220等。

该标准还对双极晶体管的性能进行了规定。其中,包括最大耗散功率、最大集电极电压、最大反向击穿电压、最大漏极电流等。这些性能指标对于双极晶体管的应用和测试都具有重要的意义。

此外,该标准还规定了双极晶体管的试验方法,包括静态特性试验、动态特性试验、温度特性试验等。这些试验方法可以有效地评估双极晶体管的性能和可靠性。

最后,该标准还对双极晶体管的标记进行了规定。标记应包括生产厂商的名称、型号、批号、生产日期等信息。这些信息可以帮助用户识别和追溯双极晶体管的来源和质量。

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