IEC 60747-9:2019
Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
发布时间:2019-11-13 实施时间:


绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种半导体器件,具有高电压、高电流和高速开关等特点,广泛应用于电力电子、工业自动化、交通运输、新能源等领域。为了保证IGBT的质量和可靠性,IEC 60747-9:2019标准对IGBT进行了详细的规定。

首先,该标准对IGBT的术语和定义进行了说明,包括IGBT、集成电路、封装、引脚等。其次,该标准对IGBT进行了分类,包括按功率、按电压、按电流、按速度等分类。然后,该标准对IGBT的封装进行了规定,包括封装形式、引脚排列、引脚尺寸、引脚材料等。此外,该标准还对IGBT的尺寸进行了规定,包括芯片尺寸、封装尺寸、引脚间距等。

在性能方面,该标准对IGBT的电气特性进行了规定,包括最大额定电压、最大额定电流、最大额定功率、最大开关频率等。同时,该标准还对IGBT的热特性进行了规定,包括最大允许结温、最大允许芯片温度、最大允许散热器温度等。此外,该标准还对IGBT的静态特性和动态特性进行了规定,包括导通电阻、截止电流、开关时间、开关损耗等。

在试验方法方面,该标准对IGBT的试验方法进行了规定,包括静态特性试验、动态特性试验、热特性试验等。同时,该标准还对试验条件进行了规定,包括环境温度、电源电压、负载电流等。此外,该标准还对试验结果的评定进行了规定,包括合格判定、不合格判定、特殊情况判定等。

最后,该标准对IGBT的质量评定和标记进行了规定,包括外观检查、尺寸检查、电气性能检查、热特性检查等。同时,该标准还对IGBT的标记进行了规定,包括型号、生产厂家、生产日期、批次号等。

总之,IEC 60747-9:2019标准对IGBT进行了全面的规定,有助于保证IGBT的质量和可靠性,促进IGBT的生产和应用。

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