碳化硅是一种新型的半导体材料，具有高温、高压、高频等特性，被广泛应用于功率器件领域。然而，碳化硅材料的制备过程中难免会产生各种缺陷，如晶格缺陷、晶界缺陷、堆垛缺陷、氧化物缺陷等，这些缺陷会影响器件的性能和可靠性。因此，对于碳化硅同质外延片的缺陷识别非常重要。

IEC 63068-3:2020标准规定了用于功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的非破坏性识别的测试方法。本标准适用于碳化硅同质外延片，包括n型和p型，以及不同取向和掺杂浓度的片材。本标准主要用于检测缺陷，如晶格缺陷、晶界缺陷、堆垛缺陷、氧化物缺陷等。本标准采用光致发光技术进行测试，通过检测样品在激发光下的发光强度和发光分布来识别缺陷。

在测试过程中，样品需要经过表面处理和清洗，然后放置在光致发光测试系统中。测试系统会对样品进行激发光照射，然后检测样品在激发光下的发光强度和发光分布。通过对发光强度和发光分布的分析，可以识别出样品中的缺陷。

本标准还规定了测试方法的具体步骤和测试参数，如激发光波长、激发光功率、检测光波长、检测光功率等。同时，本标准还对测试结果的分析和判定进行了详细的说明。

总之，IEC 63068-3:2020标准为碳化硅同质外延片缺陷的非破坏性识别提供了一种有效的测试方法，可以帮助制造商提高产品质量和可靠性。

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