集成电路是现代电子产品中不可或缺的组成部分，但其工作过程中会产生电磁辐射，可能会对周围的电子设备和人体健康造成影响。因此，对集成电路的电磁辐射进行测量和控制是非常必要的。IEC 61967-4:2021 RLV标准就是为了规范集成电路电磁辐射测量而制定的。

该标准主要针对传导辐射测量中的1欧姆/150欧姆直接耦合法进行规范。传导辐射是指电磁波在导体上的传播，会通过导体上的电流和电压产生电磁场，从而产生电磁辐射。1欧姆/150欧姆直接耦合法是一种常用的传导辐射测量方法，其原理是通过在被测电路的输入和输出端口之间插入1欧姆或150欧姆的电阻，将电路的辐射信号转换为电压信号进行测量。

IEC 61967-4:2021 RLV标准规定了使用1欧姆/150欧姆直接耦合法进行传导辐射测量的具体步骤和要求。其中包括测试设备的要求，如测试仪器的频率范围、灵敏度、分辨率等；测试环境的要求，如测试室的电磁屏蔽性能、地面反射等；测试方法的要求，如测试时的电路连接方式、测试信号的频率范围等。通过这些要求的规范，可以确保测试结果的准确性和可靠性。

除了1欧姆/150欧姆直接耦合法外，IEC 61967-4:2021 RLV标准还规定了其他传导辐射测量方法的要求，如1欧姆/50欧姆间接耦合法、1欧姆/10欧姆直接耦合法等。这些方法的选择应根据被测电路的特性和测试要求进行。

总之，IEC 61967-4:2021 RLV标准为集成电路电磁辐射测量提供了一套规范的测试方法和要求，有助于保障电子产品的安全性和可靠性。

相关标准
- IEC 61967-1:2021 RLV 集成电路-电磁辐射测量-第1部分：总则
- IEC 61967-2:2021 RLV 集成电路-电磁辐射测量-第2部分：辐射测量
- IEC 61967-3:2021 RLV 集成电路-电磁辐射测量-第3部分：辐射测量-磁场耦合法
- IEC 62132-4:2017 集成电路-电磁辐射测量-第4部分：传导辐射测量-1欧姆/150欧姆直接耦合法
- CISPR 25:2020 汽车、船舶和飞机用电子设备的无线电干扰特性