IEC 60747-8:2010/AMD1:2021
Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
发布时间:2021-06-25 实施时间:


场效应晶体管是一种重要的半导体器件,广泛应用于电子、通信、计算机、汽车、医疗等领域。为了保证场效应晶体管的质量和可靠性,需要制定相应的标准。IEC 60747-8:2010/AMD1:2021就是这样一项标准,它规定了场效应晶体管的各种要求,有助于提高场效应晶体管的品质和性能。

IEC 60747-8:2010/AMD1:2021标准主要包括以下内容:

1. 术语和定义:规定了场效应晶体管相关的术语和定义,有助于消除术语混淆和理解标准要求。

2. 符号和分类:规定了场效应晶体管的符号和分类,有助于标识和区分不同类型的场效应晶体管。

3. 性能:规定了场效应晶体管的性能要求,包括静态特性、动态特性、温度特性等,有助于保证场效应晶体管的质量和可靠性。

4. 试验方法:规定了场效应晶体管的试验方法,包括静态试验、动态试验、温度试验等,有助于检验场效应晶体管的性能和可靠性。

5. 封装和标记:规定了场效应晶体管的封装和标记要求,有助于保护场效应晶体管和标识其性能和型号。

IEC 60747-8:2010/AMD1:2021标准的实施,有助于提高场效应晶体管的品质和性能,促进场效应晶体管的应用和发展。同时,该标准也为场效应晶体管的生产、测试、销售和使用提供了技术支持和保障。

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