发光二极管（LED）是一种半导体器件，具有高效、节能、长寿命等优点，被广泛应用于照明、显示、通信等领域。为了确保LED的质量和可靠性，国际电工委员会（IEC）制定了IEC 60747-5-6:2021 RLV标准，对LED进行了规范。

该标准主要涉及以下方面的要求：

1. 性能要求：包括光电参数、电学参数、温度特性等。其中，光电参数包括发光强度、波长、色坐标等；电学参数包括正向电压、反向电流等；温度特性包括热阻、热导率等。这些参数的要求可以帮助用户选择合适的LED，同时也是生产厂家进行质量控制的依据。

2. 测试方法：包括光电参数测试、电学参数测试、温度特性测试等。这些测试方法的标准化可以确保测试结果的准确性和可比性，同时也方便了不同厂家之间的技术交流和合作。

3. 封装要求：包括封装形式、封装材料、封装尺寸等。封装是保护LED芯片的重要手段，不同的封装形式和材料会对LED的性能和寿命产生影响。因此，该标准对封装进行了规范，以确保LED的质量和可靠性。

4. 标记要求：包括标记内容、标记位置等。标记是区分不同型号和批次LED的重要手段，也是用户选择和使用LED的依据。因此，该标准对标记进行了规范，以确保标记的准确性和可读性。

除了以上要求，IEC 60747-5-6:2021 RLV标准还对LED的环境适应性、可靠性、安全性等方面进行了规范，以确保LED在各种应用场合下的稳定性和安全性。

相关标准
- IEC 60747-5-1:2017 RLV Semiconductor devices - Part 5-1: Optoelectronic devices - General
- IEC 62435-3:2019 RLV Electronic components - Long-term storage of electronic components - Part 3: Storage of optoelectronic devices
- IEC 62435-5:2020 RLV Electronic components - Long-term storage of electronic components - Part 5: Storage of semiconductor devices
- IEC 62663-1:2013 RLV Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 1: Test method for defects using photoluminescence
- IEC 62663-2:2013 RLV Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical microscopy