半导体器件是现代电子设备中不可或缺的组成部分，其性能和可靠性对整个系统的稳定性和可靠性至关重要。然而，由于半导体器件的微小尺寸和高集成度，其对静电放电（ESD）的敏感性也相应增加。因此，为了确保半导体器件在实际使用中具有足够的静电放电抗性，需要进行静电放电（ESD）敏感性测试。

静电放电（ESD）敏感性测试是一种测试半导体器件对静电放电的敏感性的方法。其中，带电器件模型（CDM）是一种常用的测试方法之一。带电器件模型（CDM）测试是通过将电荷存储在半导体器件的引脚上，然后通过短路引脚来释放电荷，从而模拟实际使用中可能遇到的静电放电情况。该测试方法可以有效地评估半导体器件的静电放电抗性，并为半导体器件的设计、制造和测试提供指导。

IEC 60749-28:2022 RLV标准主要介绍了带电器件模型（CDM）测试的器件级测试方法。该测试方法主要包括以下步骤：

1. 准备测试样品：选择符合要求的半导体器件作为测试样品，并按照标准要求进行样品准备。

2. 测试条件设置：根据标准要求设置测试条件，包括测试温度、湿度、电荷量等。

3. 测试过程：将电荷存储在半导体器件的引脚上，然后通过短路引脚来释放电荷，记录半导体器件的响应情况。

4. 结果分析：根据测试结果进行分析，评估半导体器件的静电放电抗性，并为半导体器件的设计、制造和测试提供指导。

除了带电器件模型（CDM）测试外，静电放电（ESD）敏感性测试还包括其他测试方法，如人体模型（HBM）测试、机器模型（MM）测试等。这些测试方法可以根据实际需要进行选择和组合，以评估半导体器件的静电放电抗性。

相关标准
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- IEC 60749-2:2021 RLV 半导体器件机械和气候测试方法第2部分：热循环测试
- IEC 60749-3:2021 RLV 半导体器件机械和气候测试方法第3部分：机械强度测试
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