非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数是半导体材料的重要物理参数，对于半导体器件的设计和制造具有重要意义。本标准规定了非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数的测量方法，以保证测量结果的准确性和可靠性。

本标准适用于非本征半导体单晶的霍尔迁移率和霍尔系数的测量。测量方法包括霍尔电压法和霍尔电流法两种方法。

霍尔电压法是通过在样品上施加恒定电流，测量样品上的霍尔电压和磁场强度之间的关系，从而计算出霍尔迁移率和霍尔系数。霍尔电流法是通过在样品上施加恒定电压，测量样品上的霍尔电流和磁场强度之间的关系，从而计算出霍尔迁移率和霍尔系数。

本标准详细描述了霍尔电压法和霍尔电流法的测量步骤和注意事项，包括样品的制备、测量装置的选择和校准、测量条件的确定、数据处理和结果分析等方面。

本标准的实施可以保证非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数的测量结果的准确性和可靠性，为半导体器件的设计和制造提供重要的物理参数参考。

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