硅片是半导体材料中最常用的材料之一，其电学性能对于半导体器件的性能有着至关重要的影响。其中，硅片的径向电阻率变化是一个重要的参数，它反映了硅片内部的电学性能分布情况。本标准旨在规定硅片径向电阻率变化的测量方法，以保证硅片的电学性能符合要求。

1. 范围
本标准适用于硅片径向电阻率变化的测量。

2. 规定
2.1 测量设备
测量设备应符合以下要求：
（1）测量范围：0.1 Ω·cm ~ 1000 Ω·cm；
（2）测量精度：±5%；
（3）测量温度范围：20 ℃ ~ 50 ℃；
（4）测量湿度范围：10% ~ 90%。

2.2 测量方法
（1）样品准备：将硅片切割成适当大小的样品，并在样品表面涂上金属电极；
（2）测量前处理：将样品放置在恒温恒湿条件下，使其达到稳定状态；
（3）测量：将样品放置在测量设备中，按照设备说明进行测量；
（4）数据处理：将测量结果进行处理，得到径向电阻率变化的曲线。

3. 报告
测量报告应包括以下内容：
（1）样品信息：包括硅片类型、尺寸、厚度等信息；
（2）测量条件：包括温度、湿度等信息；
（3）测量结果：包括径向电阻率变化的曲线等信息。

相关标准
GB/T 11074-2007 硅片电阻率的测量方法
GB/T 11075-2007 硅片杂质浓度的测量方法
GB/T 11076-2007 硅片表面缺陷的检测方法
GB/T 11077-2007 硅片晶格缺陷的检测方法
GB/T 11078-2007 硅片晶体结构的测定方法