高纯氧化铟是一种重要的无机化合物，广泛应用于半导体、光电子、涂料、陶瓷等领域。为了保证高纯氧化铟的质量，GB/T 23363-2009标准对其进行了规范。

一、化学分析方法
本标准规定了高纯氧化铟的化学分析方法，包括铟含量的测定、杂质元素的测定等。其中，铟含量的测定采用电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）或者火焰原子吸收光谱法（FAAS）；杂质元素的测定采用电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）或者电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-AES）。

二、质量指标
本标准规定了高纯氧化铟的质量指标，包括铟含量、杂质元素含量、粒度等。其中，铟含量应不低于99.999%（质量分数），杂质元素含量应符合表1的要求，粒度应符合表2的要求。

三、包装、标志、运输和贮存
本标准规定了高纯氧化铟的包装、标志、运输和贮存要求。高纯氧化铟应采用密封包装，包装材料应符合国家标准或行业标准的要求。包装上应标明产品名称、规格型号、生产厂家、生产日期、批号等信息。运输过程中应避免受潮、受热、受压、受撞击等情况。贮存时应存放在干燥、通风、清洁的库房内，避免与有机物、酸、碱等物质接触。

相关标准
GB/T 23362-2009 高纯氧化铝
GB/T 23364-2009 高纯氧化锡
GB/T 23365-2009 高纯氧化锑
GB/T 23366-2009 高纯氧化铅
GB/T 23367-2009 高纯氧化镉