化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法是一种用于检测化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的方法。该方法通过测量反射差分谱，可以确定晶片表面下的损伤情况。

该方法的主要原理是利用反射差分谱技术，通过测量样品表面反射光的相位差异，来确定样品表面下的损伤情况。该方法可以检测出晶片表面下的亚表面损伤，包括划痕、裂纹、氧化等。

该方法的测试步骤如下：

1. 准备样品：将待测试的化合物半导体抛光晶片放置在测试台上，并进行样品表面的清洁处理。

2. 调整测试仪器：将测试仪器调整到合适的测试参数，包括测试波长、入射角度、光强等。

3. 进行测试：将测试仪器对准样品表面，进行测试。测试时，需要记录下反射差分谱的数据，并进行数据分析。

4. 数据分析：根据反射差分谱的数据，进行数据分析，确定样品表面下的损伤情况。

该方法的优点是可以检测出晶片表面下的亚表面损伤，具有高灵敏度和高分辨率。同时，该方法还可以进行非接触式测试，不会对样品造成损伤。

相关标准
GB/T 26069-2010 化合物半导体抛光晶片表面缺陷的显微镜检查方法
GB/T 26071-2010 化合物半导体抛光晶片表面粗糙度的测量方法
GB/T 26072-2010 化合物半导体抛光晶片表面平整度的测量方法
GB/T 26073-2010 化合物半导体抛光晶片表面清洁度的测量方法
GB/T 26074-2010 化合物半导体抛光晶片表面化学成分的测量方法