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锗单晶是一种重要的半导体材料，其电阻率是其电学性能的重要指标之一。本标准规定了锗单晶电阻率直流四探针测量方法，旨在保证锗单晶电阻率的准确测量。

1. 范围
本标准适用于锗单晶电阻率的直流四探针测量。

2. 规定
2.1 测量原理
本标准采用直流四探针法测量锗单晶电阻率。该方法通过在锗单晶表面施加电流，同时测量电压，计算出锗单晶的电阻率。

2.2 测量步骤
2.2.1 样品制备
样品应当是直径为10mm左右的锗单晶圆片，表面应当平整、光滑、无划痕和氧化层。

2.2.2 测量装置
测量装置应当包括四探针、电源、电压表和电流表等。

2.2.3 测量步骤
（1）将锗单晶样品放置在测量装置上，调整四探针位置，使得四探针间距相等。
（2）接通电源，施加电流，记录电流值。
（3）测量电压值，记录电压值。
（4）根据测量结果计算出锗单晶的电阻率。

2.3 测量结果的处理和报告
测量结果应当进行数据处理，计算出锗单晶的电阻率，并进行报告。

相关标准：
GB/T 26073-2010 锗单晶电阻率测量方法
GB/T 26075-2010 锗单晶电阻率交流四探针测量方法
GB/T 26076-2010 锗单晶电阻率测量不确定度评定方法
GB/T 26077-2010 锗单晶电阻率测量结果的表示和处理
GB/T 26078-2010 锗单晶电阻率测量设备的校准方法