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Ⅲ族氮化物外延片是一种重要的半导体材料，广泛应用于LED、激光器、功率器件等领域。外延片的结晶质量对器件性能有着重要的影响，因此需要对其进行结晶质量测试。本标准规定了Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法，以保证外延片的质量。

1.表面形貌测试方法
表面形貌测试是外延片结晶质量测试的重要方面之一。本标准规定了使用扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对外延片表面形貌进行测试的方法。其中，SEM测试主要用于表面形貌的观察和分析，而AFM测试则可以更加精细地观察表面形貌，并对表面粗糙度进行测量。

2.晶格缺陷测试方法
晶格缺陷是影响外延片结晶质量的重要因素之一。本标准规定了使用X射线衍射仪（XRD）和拉曼光谱仪对外延片晶格缺陷进行测试的方法。其中，XRD测试可以对外延片的晶格结构进行分析，而拉曼光谱仪则可以对外延片的晶格缺陷进行定性和定量分析。

3.杂质测试方法
杂质是影响外延片结晶质量的另一个重要因素。本标准规定了使用电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）和电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES）对外延片中的杂质进行测试的方法。其中，ICP-MS测试可以对外延片中的金属杂质进行定量分析，而ICP-OES测试则可以对外延片中的非金属杂质进行定量分析。

4.应力测试方法
应力是影响外延片结晶质量的另一个重要因素。本标准规定了使用X射线衍射仪对外延片应力进行测试的方法。XRD测试可以对外延片的应力进行定量分析，并可以分析应力的来源和分布情况。

相关标准：
GB/T 19519-2017 半导体外延片尺寸测量方法
GB/T 19520-2017 半导体外延片表面缺陷检测方法
GB/T 19521-2017 半导体外延片杂质含量测量方法
GB/T 19522-2017 半导体外延片应力测量方法
GB/T 19523-2017 半导体外延片晶格缺陷检测方法