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半绝缘砷化镓单晶是一种重要的半导体材料，广泛应用于光电子器件、微波器件、高功率器件等领域。其中，深施主EL2缺陷是半绝缘砷化镓单晶中的一种重要缺陷，其浓度的大小直接影响到材料的电学性能和光学性能。因此，准确测定半绝缘砷化镓单晶中EL2浓度是非常重要的。

GB/T 17170-2015 标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。该方法基于半导体材料中的光学吸收现象，通过测量样品在红外光谱范围内的吸收强度，计算出样品中EL2浓度的大小。

该标准主要包括以下内容：

1. 适用范围：本标准适用于半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试。

2. 仪器设备：本标准规定了测试所需的仪器设备，包括红外光谱仪、样品室、样品支架等。

3. 样品制备：本标准规定了样品的制备方法，包括样品的切割、抛光、清洗等步骤。

4. 测试方法：本标准详细描述了测试方法，包括样品的安装、测试条件的设置、测试数据的处理等。

5. 数据处理：本标准规定了测试数据的处理方法，包括吸收谱的处理、EL2浓度的计算等。

6. 报告内容：本标准规定了测试报告的内容，包括样品信息、测试条件、测试结果等。

通过该标准的实施，可以准确测定半绝缘砷化镓单晶中EL2浓度的大小，为半导体材料的研究和应用提供了重要的技术支持。

相关标准：
GB/T 19582-2017 半导体材料中杂质浓度的测量方法
GB/T 19583-2017 半导体材料中缺陷密度的测量方法
GB/T 19584-2017 半导体材料中载流子浓度的测量方法
GB/T 19585-2017 半导体材料中载流子迁移率的测量方法
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