氮化镓单晶是一种重要的半导体材料，广泛应用于LED、激光器、太阳能电池等领域。位错是晶体中的一种缺陷，会影响材料的电学、光学性能，因此位错密度的测量对于材料的质量控制和性能优化具有重要意义。

本标准采用阴极荧光显微镜法测量氮化镓单晶的位错密度。具体步骤如下：

1. 制备样品。将氮化镓单晶切割成薄片，厚度约为100μm，然后用化学腐蚀法在样品表面形成一定深度的蚀孔，以便观察位错。

2. 观察样品。将样品放在阴极荧光显微镜上，通过调节荧光显微镜的电压和电流，使得样品表面产生荧光。观察样品表面的位错密度和类型。

3. 计算位错密度。根据观察到的位错密度和样品的厚度，计算出单位体积内的位错密度。

本标准还规定了阴极荧光显微镜的技术要求和操作方法，以及样品制备的要求和注意事项。

相关标准
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