：
碳化硅单晶片是一种重要的半导体材料，其平整度是影响其性能的重要因素之一。为了保证碳化硅单晶片的质量，需要对其平整度进行测试。本标准规定了碳化硅单晶片平整度的测试方法，以便对其进行质量控制。

1.范围
本标准适用于碳化硅单晶片平整度的测试。

2.测试原理
本标准采用激光干涉法测试碳化硅单晶片的平整度。测试时，将激光照射在单晶片表面，通过干涉条纹的变化来测量单晶片的平整度。

3.测试仪器
测试仪器应符合以下要求：
（1）激光干涉仪：具有高分辨率和高精度的激光干涉仪；
（2）平台：具有高精度的平台，用于放置单晶片；
（3）计算机：用于控制测试仪器和处理测试数据。

4.测试步骤
（1）将单晶片放置在平台上，调整其位置，使其与激光光路垂直；
（2）启动测试仪器，进行测试；
（3）测试完成后，将测试数据导入计算机，进行数据处理；
（4）根据处理后的数据，计算出单晶片的平整度。

5.测试结果
测试结果应包括以下内容：
（1）单晶片的平整度；
（2）测试日期和测试人员。

相关标准：
GB/T 32277-2015 碳化硅单晶片尺寸测量方法
GB/T 32279-2015 碳化硅单晶片表面质量检验方法
GB/T 32280-2015 碳化硅单晶片晶体缺陷检验方法
GB/T 32281-2015 碳化硅单晶片电学性能测试方法
GB/T 32282-2015 碳化硅单晶片光学性能测试方法