硅外延层是半导体器件制造中的重要材料，其质量直接影响器件的性能和可靠性。晶体完整性是硅外延层质量的重要指标之一，其好坏直接影响器件的性能和可靠性。因此，对硅外延层晶体完整性进行检验是非常必要的。

本标准规定了硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法。该方法是通过在硅外延层表面腐蚀出缺陷，观察缺陷形态和数量，来判断硅外延层晶体完整性的方法。

本标准要求使用的试验设备包括：腐蚀液、试验器、显微镜、图像分析系统等。试验步骤包括：试样制备、试验前处理、试验操作、试验后处理等。试验结果的判定和报告要求根据试验结果进行分类，分别给出缺陷的类型、数量、密度等信息，并进行图像分析和统计分析。

本标准适用于硅外延层晶体完整性检验，可用于半导体器件制造中的质量控制和产品检验。

相关标准
GB/T 19519-2017 半导体器件制造过程中的硅外延层质量控制方法
GB/T 19520-2017 半导体器件制造过程中的硅外延层检验方法
GB/T 19521-2017 半导体器件制造过程中的硅外延层试样制备方法
GB/T 19522-2017 半导体器件制造过程中的硅外延层显微镜检验方法
GB/T 19523-2017 半导体器件制造过程中的硅外延层缺陷分析方法