低位错密度锗单晶片是一种重要的半导体材料，广泛应用于光电子、红外探测、核辐射探测等领域。腐蚀坑密度是评价锗单晶片质量的重要指标之一，其测量方法对于锗单晶片的生产和应用具有重要意义。本标准旨在规定低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度的测量方法，以保证锗单晶片的质量和性能。

1.范围
本标准适用于低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度的测量。

2.术语和定义
2.1 低位错密度锗单晶片
指位错密度小于1×10^3 cm^-2的锗单晶片。
2.2 腐蚀坑密度(EPD)
指在一定面积内腐蚀坑的数量。
2.3 腐蚀坑
指锗单晶片表面的凹陷区域。

3.测量原理
本标准采用光学显微镜对锗单晶片表面的腐蚀坑进行观察和计数，以得到腐蚀坑密度。

4.仪器设备
4.1 光学显微镜
放大倍数为50倍以上，分辨率不小于0.5μm。
4.2 显微镜台
平稳、坚固，能够固定光学显微镜。
4.3 光源
提供均匀的光源，以便观察锗单晶片表面的腐蚀坑。

5.样品制备
5.1 样品的制备应符合GB/T 34480-2017《低位错密度锗单晶片的制备方法》的要求。
5.2 样品的表面应平整、光洁，无明显缺陷。

6.测量步骤
6.1 将样品放置在显微镜台上，调整显微镜的放大倍数和焦距，使锗单晶片表面清晰可见。
6.2 在锗单晶片表面随机选取若干个区域，每个区域的面积不小于1mm^2。
6.3 在每个区域内，用光学显微镜观察锗单晶片表面的腐蚀坑，并计数。
6.4 计算腐蚀坑密度，公式如下：
EPD = N/A
其中，EPD为腐蚀坑密度，单位为cm^-2；N为所有区域内腐蚀坑的总数；A为所有区域的总面积。

7.结果表示
7.1 测量结果应取多次测量的平均值。
7.2 测量结果应保留两位小数。

相关标准
GB/T 34480-2017 低位错密度锗单晶片的制备方法
GB/T 34482-2017 低位错密度锗单晶片的位错密度测量方法
GB/T 34483-2017 低位错密度锗单晶片的电学性能测量方法
GB/T 34484-2017 低位错密度锗单晶片的光学性能测量方法
GB/T 34485-2017 低位错密度锗单晶片的机械性能测量方法