高纯二氧化锗是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子、光电、光学等领域。为了保证高纯二氧化锗的质量，GB/T 11069-2017标准对其进行了详细的规定。

该标准首先对高纯二氧化锗进行了分类，分为四个等级：Ⅰ级、Ⅱ级、Ⅲ级、Ⅳ级。其中Ⅰ级为最高等级，Ⅳ级为最低等级。不同等级的高纯二氧化锗在化学成分、杂质含量、物理性能等方面有不同的要求。

在化学分析方面，本标准规定了高纯二氧化锗的化学成分应符合表1中的要求。同时，对杂质元素的含量也进行了限制，如氧、碳、氮、硼、铝、钙、铁、镁、钠、磷、硅等元素的含量都有明确的要求。

在物理性能方面，本标准规定了高纯二氧化锗的晶体结构、晶格常数、密度、热膨胀系数、热导率、电导率、硬度等物理性能应符合表2中的要求。

此外，本标准还对高纯二氧化锗的质量控制进行了规定。包括样品的采集、制备、分析、检验等方面的要求。同时，还对高纯二氧化锗的标志、包装、运输和贮存进行了详细的规定。

相关标准
GB/T 11070-2017 高纯锗
GB/T 11071-2017 高纯氧化铝
GB/T 11072-2017 高纯氧化镁
GB/T 11073-2017 高纯氧化钇
GB/T 11074-2017 高纯氧化铈