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硅单晶是半导体材料中应用最广泛的一种，其质量的好坏直接影响到半导体器件的性能和可靠性。其中，碳、氧等杂质元素的含量是影响硅单晶质量的重要因素之一。因此，准确测定硅单晶中碳、氧含量对于保证半导体器件的性能和可靠性具有重要意义。

GB/T 35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法是一项用于测定硅单晶中碳、氧含量的标准方法。该方法采用低温傅立叶变换红外光谱法，通过对硅单晶样品进行红外光谱分析，测定样品中碳、氧含量的方法。

该标准规定了硅单晶样品的制备方法、仪器设备的选择和使用、样品的处理方法、测定方法等内容。其中，样品的制备方法包括样品的切割、抛光和清洗等步骤；仪器设备的选择和使用包括红外光谱仪的选择和使用、样品的放置和测量等步骤；样品的处理方法包括样品的预处理、样品的加热和冷却等步骤；测定方法包括样品的测量、数据处理和结果计算等步骤。

该标准的实施可以提高硅单晶中碳、氧含量的测定准确度和可靠性，为半导体器件的制造提供重要的技术支持。

相关标准：
GB/T 6908-2017 硅单晶质量分类和检验方法
GB/T 6909-2017 硅单晶质量评定方法
GB/T 6910-2017 硅单晶质量检验规范
GB/T 6911-2017 硅单晶质量检验方法
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