硅多晶是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子、光电、太阳能等领域。气氛区熔基磷是硅多晶中的一种重要杂质，其含量对硅多晶的电学性能有很大影响。因此，对硅多晶中气氛区熔基磷的检测十分重要。本标准规定了硅多晶气氛区熔基磷检验方法，以保证硅多晶的质量。

试验原理
本试验采用电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）测定硅多晶中气氛区熔基磷的含量。试验前，将硅多晶样品溶解于氢氟酸和硝酸混合液中，然后用ICP-MS测定样品中磷的含量。试验中，还需使用标准物质进行校准和质控。

试验设备
本试验需要的设备有：ICP-MS仪器、电子天平、恒温水浴器、超声波清洗器等。

试验样品
试验样品为硅多晶样品，样品应符合相关标准的要求。

试验步骤
1. 取硅多晶样品，将其切成小块，然后用超声波清洗器清洗干净。
2. 将清洗后的硅多晶样品放入恒温水浴器中，加入氢氟酸和硝酸混合液，加热至溶解。
3. 将溶解后的样品转移到电子天平上，加入去离子水，使样品质量达到一定范围。
4. 将样品转移到ICP-MS仪器中，进行测定。
5. 根据ICP-MS测定结果，计算样品中气氛区熔基磷的含量。

试验结果的计算和报告
试验结果应按照相关标准的要求进行计算和报告。

相关标准
- GB/T 14954-2018 硅多晶质量分类和检验方法
- GB/T 14955-2018 硅多晶质量评定方法
- GB/T 14956-2018 硅多晶质量控制方法
- GB/T 14957-2018 硅多晶质量术语
- GB/T 14958-2018 硅多晶质量标准