硅抛光片是半导体制造过程中重要的材料之一，其表面颗粒的数量和大小对半导体器件的性能和可靠性有着重要的影响。因此，对硅抛光片表面颗粒的测试方法进行规范化是十分必要的。

本标准适用于硅抛光片表面颗粒的测试。测试方法包括：光学显微镜法、扫描电子显微镜法和激光粒度分析法。其中，光学显微镜法和扫描电子显微镜法适用于颗粒直径大于等于0.2 μm的颗粒的测试，激光粒度分析法适用于颗粒直径大于等于0.1 μm的颗粒的测试。

本标准规定了测试前的样品制备、测试时的仪器设备和测试条件、测试方法和测试结果的处理等方面的要求。其中，样品制备包括样品的清洗、干燥和贴片等步骤；测试时的仪器设备和测试条件包括显微镜、扫描电子显微镜、激光粒度分析仪等设备的要求，以及测试时的环境条件等；测试方法包括样品的观察、颗粒的计数和颗粒的分类等步骤；测试结果的处理包括颗粒的计数、颗粒的分类和颗粒的统计等方面。

本标准的实施可以有效地规范硅抛光片表面颗粒的测试方法，提高测试结果的准确性和可靠性，为半导体制造过程中的质量控制提供技术支持。

相关标准
- GB/T 19519-2017 半导体硅晶圆表面缺陷检测方法
- GB/T 19520-2017 半导体硅晶圆表面粗糙度检测方法
- GB/T 19521-2017 半导体硅晶圆表面平整度检测方法
- GB/T 19522-2017 半导体硅晶圆表面杂质检测方法
- GB/T 19523-2017 半导体硅晶圆表面氧化层检测方法