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硅片是半导体材料的重要组成部分，其表面金属元素含量的测定对于半导体工业的生产和质量控制具有重要意义。本标准提供了一种测定硅片表面金属元素含量的方法，即电感耦合等离子体质谱法。

该方法的主要步骤包括：样品的制备、电感耦合等离子体质谱仪的操作和数据处理。样品的制备包括样品的清洗、干燥和切割等步骤。电感耦合等离子体质谱仪的操作包括仪器的预热、样品的进样和质谱分析等步骤。数据处理包括质谱图的解析和金属元素含量的计算等步骤。

本标准要求使用的电感耦合等离子体质谱仪应符合以下要求：1）具有高分辨率和高灵敏度；2）能够同时测定多种金属元素；3）具有良好的稳定性和重复性。

本标准规定了硅片表面金属元素含量的测定方法，包括测定范围、仪器设备、试样制备、分析方法、数据处理和结果报告等内容。本标准适用于硅片表面金属元素含量的测定。

相关标准：
GB/T 39144-2020 硅片表面杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 39146-2020 硅片表面氧化物含量的测定 X射线荧光光谱法
GB/T 39147-2020 硅片表面氮含量的测定 热导法
GB/T 39148-2020 硅片表面碳含量的测定 热导法
GB/T 39149-2020 硅片表面氢含量的测定 热脱附法