硅单晶是半导体材料中应用最广泛的一种，其电阻率的测定对于半导体器件的设计和制造具有重要意义。本标准规定了两种测定硅单晶电阻率的方法，即直排四探针法和直流两探针法。

直排四探针法是一种常用的电阻率测定方法，其原理是利用四个探针在硅单晶表面形成一个矩形电流通路，通过测量电流和电压来计算电阻率。该方法适用于电阻率在0.001Ω·cm以上的硅单晶。

直流两探针法是一种简单的电阻率测定方法，其原理是利用两个探针在硅单晶表面形成一个电流通路，通过测量电流和电压来计算电阻率。该方法适用于电阻率在0.001Ω·cm以下的硅单晶。

本标准详细描述了两种方法的实验步骤、仪器设备、样品制备、测量条件和数据处理等内容。同时，还对测量误差的评定和控制进行了说明。

相关标准
- GB/T 1550-2021 半导体材料电阻率的测定
- GB/T 1552-2021 硅单晶电阻率的测定 直流四探针法
- GB/T 1553-2021 硅单晶电阻率的测定 直流两探针法
- GB/T 1554-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法
- GB/T 1555-2021 硅单晶电阻率的测定 直流四探针法