一、范围
本标准适用于硅外延层载流子浓度的测试，采用电容-电压法测量硅外延层中的载流子浓度。

二、引用标准
下列标准中的条款通过本标准的引用成为本标准的条款。对于引用的标准，应按照引用标准的最新版本适用。

GB/T 8170 数字表示法和圆整规则
GB/T 9966.1 半导体器件试验方法 第1部分：通用规定
GB/T 9966.2 半导体器件试验方法 第2部分：晶体管
GB/T 9966.3 半导体器件试验方法 第3部分：二极管
GB/T 9966.4 半导体器件试验方法 第4部分：光电器件
GB/T 9966.5 半导体器件试验方法 第5部分：集成电路

三、术语和定义
本标准所涉及的术语和定义见GB/T 9966.1。

四、测试原理
载流子浓度的测试采用电容-电压法，即在外延层上形成一个pn结，测量其反向电容随反向电压的变化，从而得到载流子浓度。

五、测试装置
测试装置应包括以下部分：
1. 电源：提供测试电压。
2. 信号源：提供测试信号。
3. 电容测试仪：测量反向电容。
4. 温度控制装置：控制测试温度。
5. 光源：提供光照。

六、测试步骤
1. 样品制备：将样品切割成适当大小，去除表面氧化层。
2. pn结形成：在样品表面形成pn结，使其反向电容随反向电压变化。
3. 测试条件设置：设置测试电压、测试频率、测试温度和光照条件。
4. 测试：在测试条件下进行测试，记录反向电容随反向电压的变化曲线。
5. 数据处理：根据测试数据计算载流子浓度。

七、数据处理
1. 计算反向电容随反向电压的变化曲线。
2. 根据曲线拟合得到载流子浓度。

八、结果表示
载流子浓度应以cm^-3为单位表示，并保留有效数字。

九、精度
载流子浓度的相对误差应不大于10%。

十、标准样品
本标准未规定标准样品。

相关标准
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GB/T 9966.3 半导体器件试验方法 第3部分：二极管
GB/T 9966.4 半导体器件试验方法 第4部分：光电器件