碳化硅单晶是一种重要的半导体材料，广泛应用于电力电子、光电子、微电子等领域。其中，硼、铝、氮等杂质元素的含量对单晶的电学性能和物理性能有着重要的影响。因此，准确测定碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量是保证单晶质量的重要手段。

本标准采用二次离子质谱法进行测定。该方法利用离子束轰击样品表面，将样品表面的原子和分子离子化，然后通过质谱仪进行分析，得到样品中各元素的含量。该方法具有灵敏度高、分辨率高、测量速度快等优点，适用于测定碳化硅单晶中硼、铝、氮等元素的含量。

本标准规定了样品的制备方法、测量条件、质谱分析方法、数据处理方法等内容。其中，样品的制备方法包括样品的切割、抛光、清洗等步骤。测量条件包括离子束能量、离子束流强度、扫描范围等参数。质谱分析方法包括离子源的选择、离子束的聚焦、离子束的分析等步骤。数据处理方法包括质谱信号的积分、背景信号的去除、质量分数的计算等步骤。

本标准适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮等元素含量的测定。该方法适用于样品中硼、铝、氮元素含量在1×10^14~1×10^19 atoms/cm^3范围内的测定。

相关标准
- GB/T 19519-2017 碳化硅单晶生长用石墨舟
- GB/T 19520-2017 碳化硅单晶生长用石墨棒
- GB/T 19521-2017 碳化硅单晶生长用石墨管
- GB/T 19522-2017 碳化硅单晶生长用石墨板
- GB/T 19523-2017 碳化硅单晶生长用石墨环