：
硅单晶是半导体材料中应用最广泛的一种，其质量的好坏直接影响到半导体器件的性能和可靠性。硅单晶中的III、V族杂质含量是影响其质量的重要因素之一。因此，准确测定硅单晶中III、V族杂质含量对于保证半导体器件的性能和可靠性具有重要意义。

GB/T 24581-2022 标准规定了硅单晶中III、V族杂质含量的测定方法，采用低温傅立叶变换红外光谱法。该方法通过测定硅单晶中III、V族杂质的吸收峰强度，计算出其含量。该方法具有灵敏度高、准确度高、重现性好等优点。

该标准适用于硅单晶中III、V族杂质含量的测定，适用于硅单晶中III、V族杂质含量在1×10^14~1×10^19 atoms/cm^3范围内的测定。

该标准的具体实施步骤如下：

1. 样品的制备：将硅单晶样品切割成薄片，并进行表面处理。

2. 低温傅立叶变换红外光谱仪的准备：将样品放置在低温傅立叶变换红外光谱仪中，进行预冷却。

3. 光谱测量：在低温傅立叶变换红外光谱仪中，测量样品的红外光谱图像。

4. 数据处理：对测量得到的红外光谱图像进行数据处理，计算出硅单晶中III、V族杂质的含量。

该标准的实施应符合以下要求：

1. 样品的制备应符合相关要求，确保样品的质量。

2. 低温傅立叶变换红外光谱仪的使用应符合相关要求，确保测量结果的准确性和可靠性。

3. 数据处理应符合相关要求，确保计算结果的准确性和可靠性。

相关标准：
GB/T 24580-2022 硅单晶中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 24582-2022 硅单晶中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
GB/T 24583-2022 硅单晶中杂质含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
GB/T 24584-2022 硅单晶中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 24585-2022 硅单晶中杂质含量的测定 电感耦合等离子体原子荧光光谱法