半绝缘碳化硅单晶是一种重要的半导体材料，具有高温、高压、高频等特殊性能，广泛应用于电力电子、光电子、微电子等领域。电阻率是半绝缘碳化硅单晶的重要物理参数之一，对于材料的性能和应用具有重要的影响。因此，准确测量半绝缘碳化硅单晶的电阻率是非常必要的。

本标准规定了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。该方法基于霍尔效应，通过测量半导体材料中的电子浓度和迁移率来计算电阻率。该方法具有非接触、无损、高精度等优点，适用于各种形状和尺寸的半绝缘碳化硅单晶的电阻率测量。

本标准主要包括以下内容：

1. 范围：规定了本标准适用的半绝缘碳化硅单晶的范围。

2. 规定：规定了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。

3. 仪器设备：介绍了电阻率非接触测试所需的仪器设备。

4. 样品制备：介绍了样品制备的要求和方法。

5. 测试步骤：详细介绍了电阻率非接触测试的步骤和注意事项。

6. 数据处理：介绍了测试数据的处理方法和计算公式。

7. 报告：规定了测试报告的内容和格式。

本标准的实施可以提高半绝缘碳化硅单晶电阻率测试的准确性和可靠性，为半导体材料的研究和应用提供技术支持。

相关标准
GB/T 42270-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率测量方法
GB/T 42272-2022 半绝缘碳化硅单晶的霍尔系数测量方法
GB/T 42273-2022 半绝缘碳化硅单晶的载流子浓度测量方法
GB/T 42274-2022 半绝缘碳化硅单晶的载流子迁移率测量方法
GB/T 42275-2022 半绝缘碳化硅单晶的电导率测量方法