硅晶片是半导体器件制造的重要材料，其表面氧化硅层的厚度对器件性能有着重要的影响。因此，准确测量硅晶片表面氧化硅层的厚度是半导体器件制造过程中的重要环节之一。本标准规定了一种采用X射线光电子能谱法测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法。

本标准要求测量的硅晶片表面氧化硅层厚度在0.5nm~10nm范围内。测量前需要对硅晶片进行清洗和处理，以保证测量结果的准确性。测量时需要使用X射线光电子能谱仪进行测量，测量结果应该在一定的误差范围内。

本标准的实施可以提高硅晶片表面氧化硅层厚度的测量准确性，为半导体器件制造提供可靠的数据支持。

相关标准
GB/T 25187-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 椭偏光谱法
GB/T 25189-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 拉曼光谱法
GB/T 25190-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 感应耦合等离子体发射光谱法
GB/T 25191-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 电容法
GB/T 25192-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 感应耦合等离子体质谱法