硅片工作标准样品是用于检测半导体材料和器件中杂质元素含量的标准样品。本标准规定了硅片工作标准样品表面元素的化学收集方法和全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定方法。

化学收集方法是通过化学反应将表面元素转化为易于分析的化合物，然后进行分析。该方法适用于分析表面元素含量较高的样品。具体操作步骤如下：

1. 将硅片工作标准样品放入清洁的容器中，加入足量的去离子水，超声处理10分钟，然后倒掉水分。

2. 加入足量的HF-HNO3-H2O2混合液，使其覆盖样品表面，放置在室温下反应2小时。

3. 将反应液转移到烧杯中，加入足量的去离子水，超声处理10分钟，然后转移到量瓶中，加入足量的去离子水至刻度。

4. 用ICP-MS等方法分析化合物中元素的含量。

全反射X射线荧光光谱法(TXRF)是一种非破坏性的表面分析方法，适用于分析表面元素含量较低的样品。具体操作步骤如下：

1. 将硅片工作标准样品放入TXRF分析仪中，调整仪器参数。

2. 通过X射线激发样品表面元素，使其发射荧光光谱。

3. 通过荧光光谱分析仪器，得到元素的荧光光谱图。

4. 通过荧光光谱图，计算出元素的含量。

相关标准
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