二次离子质谱（Secondary Ion Mass Spectrometry，SIMS）是一种表面化学分析技术，可以对材料表面进行元素分析和化学成分分析。本标准主要针对硅中砷的深度剖析方法进行规定。

本标准要求使用的仪器必须符合以下条件：
1. 具有高分辨率的质谱分析器；
2. 具有高灵敏度的离子探测器；
3. 具有高能量的离子源。

本标准要求样品的制备必须符合以下条件：
1. 样品表面必须平整，无氧化层和污染物；
2. 样品必须具有一定的厚度，以保证SIMS分析的深度范围；
3. 样品必须具有一定的电导率，以保证离子束的稳定性。

本标准要求进行的分析步骤如下：
1. 样品表面清洗；
2. 样品表面处理，如去除氧化层；
3. 样品表面离子轰击，产生次级离子；
4. 次级离子质谱分析，得到硅中砷的深度分布曲线。

本标准要求对SIMS分析结果进行数据处理，包括：
1. 数据校正，如质量校正、电荷校正等；
2. 数据拟合，得到硅中砷的深度分布曲线；
3. 数据分析，得到硅中砷的深度分布特征。

本标准要求对SIMS分析结果进行质量控制，包括：
1. 样品的重复分析；
2. 样品的标准参照物分析；
3. 样品的质量控制图绘制。

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