多晶硅是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子、光电、太阳能等领域。多晶硅中的痕量元素对其电学性能、光学性能、机械性能等都有着重要的影响。因此，对多晶硅中痕量元素的化学分析具有重要的意义。

本标准采用辉光放电质谱法测定多晶硅中痕量元素的含量。辉光放电质谱法是一种高灵敏度、高分辨率的元素分析方法，适用于多种材料中痕量元素的分析。该方法通过电弧放电产生的高温等离子体将样品中的元素激发、电离，然后通过质谱仪进行元素分析。该方法具有灵敏度高、分析速度快、准确度高等优点。

本标准规定了多晶硅样品的制备方法、辉光放电质谱仪的操作要求、分析条件、质量控制等内容。其中，样品的制备方法包括样品的研磨、清洗、干燥等步骤。辉光放电质谱仪的操作要求包括仪器的预热、灵敏度调整、质量校正等。分析条件包括电弧放电电流、电压、气体流量等参数。质量控制包括样品的加标、空白对照等。

本标准适用于多晶硅中痕量元素的定量分析，包括铝、钙、铬、铜、铁、镁、锰、镍、钾、硅、钠、锶、钛、锌等元素。该方法适用于多晶硅中痕量元素的分析，具有灵敏度高、准确度高、重现性好等优点。

相关标准
GB/T 6900-2006 多晶硅片
GB/T 6901-2006 多晶硅块
GB/T 6902-2006 多晶硅粉末
GB/T 6903-2006 多晶硅砂
GB/T 6904-2006 多晶硅碳棒