GB/T 21039.1-2007
半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
发布时间:2007-06-29 实施时间:2007-11-01


GB/T 21039.1-2007是我国半导体器件分立器件标准的一部分,主要规定了微波场效应晶体管(MESFET)的空白规范。该标准适用于生产和使用微波场效应晶体管的企业和单位,旨在保证产品的质量和性能,促进行业的发展。

微波场效应晶体管是一种重要的半导体器件,广泛应用于通信、雷达、卫星导航等领域。该器件具有高频率、低噪声、低失真等优点,是现代电子技术中不可或缺的组成部分。为了保证微波场效应晶体管的质量和性能,需要制定相应的规范和标准,以确保产品的一致性和可靠性。

本标准主要包括以下内容:

1. 尺寸和形状:规定了微波场效应晶体管的尺寸和形状要求,包括引脚位置、引脚间距、引脚长度、引脚直径、芯片尺寸等方面的要求。

2. 材料和性能:规定了微波场效应晶体管的材料和性能要求,包括芯片材料、金属材料、绝缘材料、电性能、热性能等方面的要求。

3. 试验方法:规定了微波场效应晶体管的试验方法,包括外观检查、引脚间绝缘电阻、引脚间电容、漏电流、反向漏电流、噪声系数、增益、输出功率等方面的试验方法。

4. 检验规则和标志:规定了微波场效应晶体管的检验规则和标志要求,包括检验方法、检验标准、合格判定、标志等方面的要求。

5. 包装、运输和贮存:规定了微波场效应晶体管的包装、运输和贮存要求,包括包装材料、包装方式、运输条件、贮存条件等方面的要求。

本标准的实施可以提高微波场效应晶体管的质量和性能,促进行业的发展。同时,本标准也为企业和单位提供了技术规范和检验标准,有利于提高产品的竞争力和市场占有率。

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