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硅基微机电系统（MEMS）是一种集成了微机电技术和半导体工艺的微型化系统，具有体积小、重量轻、功耗低、响应速度快等优点，广泛应用于传感器、执行器、生物医学、光学等领域。氢氧化钾腐蚀是MEMS制造中常用的一种工艺，可以用于制造微通道、微孔、微结构等。本标准规定了硅基MEMS制造中氢氧化钾腐蚀工艺的要求和测试方法，以保证MEMS器件的质量和可靠性。

1.范围
本标准适用于硅基MEMS制造中氢氧化钾腐蚀工艺的设计、制造和检验。

2.术语和定义
本标准中使用的术语和定义与GB/T 28274-2012《硅基MEMS制造技术 术语和定义》相同。

3.要求
3.1 氢氧化钾腐蚀液的配制
氢氧化钾腐蚀液的配制应符合以下要求：
（1）氢氧化钾的纯度不低于95%；
（2）蒸馏水的纯度不低于99.5%；
（3）配制过程中应注意安全，避免氢氧化钾腐蚀液的溅出和吸入。

3.2 腐蚀工艺参数
氢氧化钾腐蚀工艺参数应符合以下要求：
（1）腐蚀液的浓度应根据腐蚀深度和腐蚀速率确定；
（2）腐蚀时间应根据腐蚀深度和腐蚀速率确定；
（3）腐蚀温度应控制在20℃~80℃之间；
（4）腐蚀过程中应注意安全，避免腐蚀液的溅出和吸入。

3.3 腐蚀后处理
腐蚀后的样品应进行清洗和干燥处理，以去除腐蚀液残留和水分。

4.测试方法
4.1 腐蚀深度的测量
腐蚀深度的测量应符合以下要求：
（1）测量前应对样品进行清洗和干燥处理；
（2）测量方法应根据样品的形状和尺寸确定；
（3）测量精度应符合设计要求。

4.2 腐蚀速率的测量
腐蚀速率的测量应符合以下要求：
（1）测量前应对样品进行清洗和干燥处理；
（2）测量方法应根据样品的形状和尺寸确定；
（3）测量精度应符合设计要求。

相关标准：
GB/T 28274-2012 硅基MEMS制造技术 术语和定义
GB/T 28276-2012 硅基MEMS制造技术 氢氟酸腐蚀工艺规范
GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技术 干法腐蚀工艺规范
GB/T 28278-2012 硅基MEMS制造技术 湿法腐蚀工艺规范
GB/T 28279-2012 硅基MEMS制造技术 电化学腐蚀工艺规范