晶圆级纳米尺度相变存储单元是一种新型的存储器件，具有高密度、低功耗、快速读写等优点，被广泛应用于计算机、通信、嵌入式系统等领域。为了保证晶圆级纳米尺度相变存储单元的电学性能，需要对其电学操作参数进行测试。本标准旨在规范晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试的方法和要求，以提高测试结果的准确性和可靠性。

1.范围
本标准适用于晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数的测试。

2.测试设备
测试设备应符合以下要求：
（1）测试仪器应具有高精度、高稳定性和高可靠性；
（2）测试仪器应能够满足测试要求，包括测试电压、测试电流、测试时间等；
（3）测试仪器应具有数据采集和处理功能。

3.测试方法
测试方法应符合以下要求：
（1）测试前应对测试设备进行校准；
（2）测试时应按照标准要求设置测试参数；
（3）测试时应记录测试数据，并进行数据处理和分析。

4.测试步骤
测试步骤应包括以下内容：
（1）样品准备：对样品进行清洗和处理，确保样品表面干净平整；
（2）测试前准备：对测试设备进行校准和设置测试参数；
（3）测试过程：按照标准要求进行测试；
（4）测试后处理：对测试数据进行处理和分析，得出测试结果。

5.测试结果的处理和分析
测试结果的处理和分析应包括以下内容：
（1）测试数据的处理：对测试数据进行筛选、去噪、平滑等处理；
（2）测试结果的分析：对测试结果进行统计分析，得出平均值、标准差等指标；
（3）测试结果的评价：对测试结果进行评价，判断样品的电学性能是否符合要求。

相关标准
GB/T 33656-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元物理性能测试规范
GB/T 33658-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元可靠性测试规范
GB/T 33659-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元封装测试规范
GB/T 33660-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元应用测试规范
GB/T 33661-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元标准样品制备规范