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MEMS压阻式压力敏感芯片是一种新型的微机电系统（MEMS）传感器，具有高精度、高灵敏度、小尺寸、低功耗等优点，广泛应用于汽车、医疗、工业自动化等领域。为了保证MEMS压阻式压力敏感芯片的性能和可靠性，需要进行圆片级试验，以评估芯片的电学性能、机械性能、温度特性、湿度特性、耐久性等指标。

本标准规定了MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法，包括以下试验项目：

1. 芯片的电学性能试验：包括电阻、电容、电压、电流等指标的测试，以评估芯片的电学性能。

2. 芯片的机械性能试验：包括压力灵敏度、压力范围、线性度、重复性等指标的测试，以评估芯片的机械性能。

3. 芯片的温度特性试验：包括温度系数、温度漂移等指标的测试，以评估芯片的温度特性。

4. 芯片的湿度特性试验：包括湿度系数、湿度漂移等指标的测试，以评估芯片的湿度特性。

5. 芯片的耐久性试验：包括长时间稳定性、热循环、机械振动等指标的测试，以评估芯片的耐久性。

本标准的实施可以提高MEMS压阻式压力敏感芯片的性能和可靠性，促进MEMS传感器的标准化和产业化发展。

相关标准：
GB/T 33921-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的封装级试验方法
GB/T 33923-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的模块级试验方法
GB/T 33924-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的系统级试验方法
GB/T 33925-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的可靠性试验方法
GB/T 33926-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的标准化要求