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微机电系统（MEMS）是一种集成了微型机械、微型电子、微型光学等多种技术的微型系统，具有体积小、重量轻、功耗低、成本低等优点，广泛应用于传感器、执行器、生物医学、通信等领域。MEMS微结构的性能受到残余应变的影响，因此残余应变的测量对于MEMS微结构的设计、制造和应用具有重要意义。

GB/T 34900-2017标准规定了基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法，该方法利用光学干涉原理，通过测量微结构表面的位移或形变来计算残余应变。该方法具有非接触、高精度、高灵敏度等优点，适用于各种形状和尺寸的MEMS微结构的残余应变测量。

该标准详细介绍了基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法的原理、测量装置、测量步骤、数据处理和不确定度评定等内容。其中，测量装置包括光学干涉仪、光源、样品台、移动平台等部分，测量步骤包括样品制备、测量前的准备、测量、数据处理等步骤。数据处理包括位移/形变数据的提取、残余应变的计算、不确定度的评定等内容。

该标准的实施可以提高MEMS微结构残余应变测量的准确度和可重复性，为MEMS微结构的设计、制造和应用提供可靠的数据支持。

相关标准：
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