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非易失性存储器（NVM）是一种能够在断电情况下保持数据的存储器，广泛应用于电子产品中。为了保证NVM的可靠性和稳定性，需要对其进行耐久性和数据保持试验。GB/T 35003-2018《非易失性存储器耐久和数据保持试验方法》就是为此而制定的标准。

本标准适用于各种类型的NVM，包括闪存、EEPROM、FRAM等。其中，闪存是一种常见的NVM，广泛应用于移动设备、存储卡、固态硬盘等产品中。EEPROM是一种可编程的NVM，常用于存储设备参数、校准数据等。FRAM是一种新型的NVM，具有快速读写、低功耗、高可靠性等优点。

本标准规定了NVM的擦除、编程、读取、数据保持和退化等试验方法。其中，擦除试验是指将NVM中的所有数据擦除，以测试其擦除性能；编程试验是指将NVM中的数据编程，以测试其编程性能；读取试验是指读取NVM中的数据，以测试其读取性能；数据保持试验是指在一定时间内检测NVM中的数据是否保持不变；退化试验是指在一定时间内模拟NVM的退化过程，以测试其耐久性。

本标准还规定了试验条件、试验方法、试验结果的评定等内容。试验条件包括温度、湿度、电压等参数，试验方法包括单次试验、多次试验、加速试验等方法，试验结果的评定包括数据保持时间、擦除次数、编程次数等指标。

本标准的实施可以保证NVM的可靠性和稳定性，提高电子产品的质量和可靠性，促进电子产业的发展。

相关标准：
GB/T 18309-2013 闪存存储器
GB/T 18310-2013 EEPROM存储器
GB/T 18311-2013 FRAM存储器
GB/T 18312-2013 NVM存储器
GB/T 18313-2013 存储器芯片