GB/T 36474-2018
半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
发布时间:2018-06-07 实施时间:2019-01-01


DDR3 SDRAM是一种高速存储器,广泛应用于计算机、服务器、网络设备等领域。为了保证DDR3 SDRAM的质量和可靠性,需要对其进行各种测试。GB/T 36474-2018标准规定了DDR3 SDRAM的测试方法,包括芯片级、模块级和系统级测试方法。

芯片级测试方法主要包括以下内容:

1. 电气参数测试:包括输入/输出电压、时序、电流等参数的测试。
2. 功能测试:测试DDR3 SDRAM的读写功能是否正常。
3. 时序测试:测试DDR3 SDRAM的时序是否符合规定的要求。
4. 噪声测试:测试DDR3 SDRAM在不同工作条件下的噪声水平。

模块级测试方法主要包括以下内容:

1. 电气参数测试:测试DDR3 SDRAM模块的输入/输出电压、时序、电流等参数。
2. 功能测试:测试DDR3 SDRAM模块的读写功能是否正常。
3. 时序测试:测试DDR3 SDRAM模块的时序是否符合规定的要求。
4. 噪声测试:测试DDR3 SDRAM模块在不同工作条件下的噪声水平。
5. 兼容性测试:测试DDR3 SDRAM模块与其他设备的兼容性。

系统级测试方法主要包括以下内容:

1. 性能测试:测试DDR3 SDRAM在系统中的性能表现。
2. 可靠性测试:测试DDR3 SDRAM在系统中的可靠性。
3. 兼容性测试:测试DDR3 SDRAM与其他设备的兼容性。

以上测试方法都需要使用专业的测试设备和软件,测试结果应符合GB/T 36474-2018标准中规定的要求。

相关标准:
1. GB/T 19519-2017 半导体集成电路测试方法通用规范
2. GB/T 19520-2017 半导体集成电路测试方法芯片级测试
3. GB/T 19521-2017 半导体集成电路测试方法模块级测试
4. GB/T 19522-2017 半导体集成电路测试方法系统级测试
5. GB/T 19523-2017 半导体集成电路测试方法可靠性测试