氮化物半导体材料是一种新型的半导体材料，具有优异的电学、光学和热学性能，被广泛应用于LED、LD、HBT、HEMT等领域。氢化物气相外延设备是制备氮化物半导体材料的关键设备之一，其性能和质量直接影响到氮化物半导体材料的质量和性能。为了保证氮化物半导体材料的质量和性能，制定了GB/T 36646-2018标准，规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备的技术要求、检验方法、标志、包装、运输和贮存。

本标准适用于制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备的设计、制造、检验和使用。

1.术语和定义
本标准中使用的术语和定义见GB/T 20042.1-2018《氮化物半导体材料及器件通用术语》。

2.技术要求
2.1 设备结构
氢化物气相外延设备应具有合理的结构，易于操作和维护。设备应包括反应室、加热系统、气体输送系统、真空系统、控制系统等部分。反应室应具有良好的密封性能，能够承受高温高压的反应环境。加热系统应能够提供均匀的加热温度场，保证反应物料的均匀沉积。气体输送系统应能够准确地控制气体流量和压力，保证反应气氛的稳定性。真空系统应能够提供高度的真空度，保证反应室内的气体污染和杂质含量。控制系统应能够实现设备的自动化控制和数据采集，保证设备的稳定性和可靠性。

2.2 设备性能
氢化物气相外延设备应具有以下性能：
（1）反应温度范围：1000℃~1300℃；
（2）反应压力范围：10kPa~100kPa；
（3）反应气体：NH3、H2、N2、SiH4、TMG等；
（4）反应室尺寸：直径≥100mm，高度≥100mm；
（5）反应室材料：石英、石墨等；
（6）加热方式：电阻加热、感应加热等；
（7）气体输送方式：质量流量控制、压力控制等；
（8）真空度：10-3Pa以下。

2.3 设备质量
氢化物气相外延设备应具有以下质量要求：
（1）设备应符合设计要求，结构合理，工艺先进，性能稳定可靠；
（2）设备应具有完整的技术文件和检验记录；
（3）设备应经过严格的出厂检验和调试，达到设计要求；
（4）设备应具有完善的售后服务和质量保证体系。

3.检验方法
3.1 设备外观检验
对氢化物气相外延设备进行外观检验，应检查设备的表面是否平整、无裂纹、无氧化、无锈蚀、无变形等缺陷。

3.2 设备性能检验
对氢化物气相外延设备进行性能检验，应按照设计要求进行检验，包括反应温度、反应压力、气体流量、真空度等性能指标的检测。

3.3 设备质量检验
对氢化物气相外延设备进行质量检验，应检查设备的技术文件、检验记录、出厂检验报告等质量证明文件，以及设备的结构、工艺、性能等方面是否符合标准要求。

相关标准
GB/T 20042.1-2018 氮化物半导体材料及器件通用术语
GB/T 36647-2018 制备氮化物半导体材料用金属有机化合物气相外延设备
GB/T 36648-2018 制备氮化物半导体材料用分子束外延设备
GB/T 36649-2018 制备氮化物半导体材料用物理气相沉积设备
GB/T 36650-2018 制备氮化物半导体材料用激光分解沉积设备