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硅片是半导体材料的重要组成部分，其质量直接影响到半导体器件的性能。氧沉淀是硅片制备过程中的一个重要环节，可以改善硅片的电学性能。因此，对硅片氧沉淀特性的测定具有重要意义。

本标准主要介绍了硅片氧沉淀特性的测定方法——间隙氧含量减少法。该方法是通过在硅片表面形成一层氧化膜，然后在高温下将氧化膜还原，测量还原后氧化膜的厚度变化来计算出硅片中的间隙氧含量。该方法具有测量精度高、操作简便等优点。

具体操作步骤如下：

1. 制备样品：将硅片切割成适当大小的样品，并在样品表面形成一层氧化膜。

2. 还原氧化膜：将样品置于高温还原气氛中，使氧化膜还原成硅。

3. 测量氧化膜厚度：使用表面形貌仪等仪器测量还原后氧化膜的厚度。

4. 计算间隙氧含量：根据测量结果计算出硅片中的间隙氧含量。

除了间隙氧含量减少法，本标准还介绍了氧化时间法。该方法是通过在高温下将硅片表面氧化一定时间，然后测量氧化膜的厚度来计算出硅片中的间隙氧含量。该方法适用于硅片中间隙氧含量较高的情况。

相关标准：
GB/T 19445-2004 硅片氧沉淀特性的测定 氧化时间法
GB/T 19446-2004 硅片氧沉淀特性的测定 氧化膜厚度测量方法
GB/T 19447-2004 硅片氧沉淀特性的测定 氧化膜质量测量方法
GB/T 19448-2004 硅片氧沉淀特性的测定 氧化膜成分分析方法
GB/T 19449-2004 硅片氧沉淀特性的测定 氧化膜形貌观察方法