砷化镓单晶是一种重要的半导体材料，广泛应用于光电子、微电子、光通信、高速电子等领域。液封直拉法是一种常用的砷化镓单晶生长方法，本标准规定了该方法的生长过程中的各项要求。

1.生长设备
液封直拉法生长设备主要由炉体、熔体、拉晶机构、气氛保护系统、温度控制系统等组成。炉体应具有良好的隔热性能和稳定的温度控制能力，熔体应具有良好的纯度和稳定的成分，拉晶机构应具有良好的拉晶控制能力和稳定的拉晶速度。

2.生长工艺
液封直拉法生长工艺主要包括熔体制备、晶体生长、晶体切割等过程。熔体制备应注意熔体成分的准确控制和熔体的纯度，晶体生长应注意晶体生长速度、晶体形态、晶体质量等因素的控制，晶体切割应注意切割方向、切割角度、切割精度等因素的控制。

3.生长控制
液封直拉法生长过程中应注意熔体温度、拉晶速度、气氛保护等因素的控制，以保证晶体生长的稳定性和质量。

4.生长质量检验
液封直拉法生长的砷化镓单晶应进行外观检验、晶体结构检验、电学性能检验等多项检验，以保证晶体的质量。

5.其它要求
液封直拉法生长的砷化镓单晶应注意环保要求，避免对环境造成污染。

相关标准
GB/T 11094-2007 砷化镓单晶及切割片的尺寸和外形
GB/T 11095-2007 砷化镓单晶及切割片的物理性能检验方法
GB/T 11096-2007 砷化镓单晶及切割片的电学性能检验方法
GB/T 11097-2007 砷化镓单晶及切割片的缺陷检验方法
GB/T 11098-2007 砷化镓单晶及切割片的包装、标志、运输和贮存